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眾所周知，IGBT是創(chuàng)統(tǒng)科技產(chǎn)品EPS應(yīng)急電源和SPS岸電電源的核心部件，但又有多少人對該部件有深一步的了解呢，以下本公司向各位闡述一下該部件國內(nèi)的發(fā)展近況：目前，世界各大功率半導(dǎo)體公司對IGBT的研究步伐和技術(shù)革新日益加快，IGBT芯片的設(shè)計與生產(chǎn)廠家有英飛凌(Infineon)、 ABB、三菱(Mitsubishi Electric)、Dynex(中國南車，CSR)、IXYS Corporation、International Rectifier、Powerex、Philips、Motorola、Fuji Electric、Hitachi、Toshiba等，主要集中在歐、美、日等國家。國內(nèi)在IGBT技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化方面尚處于起步階段，作為全球最大的IGBT應(yīng)用市場，IGBT模塊主要依賴進(jìn)口。近年來，在國家宏觀政策的引導(dǎo)和組織下，國內(nèi)企業(yè)通過各種途徑在IGBT芯片、模塊等領(lǐng)域已經(jīng)取得很多可喜的進(jìn)展，中國南車通過并購英國Dynex半導(dǎo)體，充分利用歐洲豐富的技術(shù)資源，成立功率半導(dǎo)體海外研發(fā)中心，迅速掌握了先進(jìn)的1200V-6500V IGBT芯片設(shè)計、工藝制造及模塊封裝技術(shù)，并且在株洲建設(shè)了一條先進(jìn)的8英寸IGBT芯片及其封裝生產(chǎn)線，并于2014年初實現(xiàn)IGBT芯片量產(chǎn)。
IGBT的工藝水平也在不斷提升，許多先進(jìn)工藝技術(shù)，如離子注入、精細(xì)光刻等被應(yīng)用到IGBT制造上。IGBT芯片制造過程中的最小特征尺寸已由5um，到3um，到1um，甚至達(dá)到亞微米的水平。采用精細(xì)制造工藝可以大幅提高功率密度，同時可以降低結(jié)深，減小高溫擴(kuò)散工藝，從而使采用12英寸甚至更大尺寸的硅片來制造IGBT成為可能。隨著薄片與超薄片加工工藝的發(fā)展，英飛凌在8英寸硅片上制造了厚度只有40um的芯片樣品，不久的未來有望實現(xiàn)產(chǎn)品化應(yīng)用。
隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的最高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來IGBT模塊技術(shù)還將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面不斷改進(jìn)，有望將無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板等先進(jìn)封裝理念及技術(shù)結(jié)合起來，將芯片的上下表面均通過燒結(jié)或壓接來實現(xiàn)固定及電極互連，同時在模塊內(nèi)部集成更多其他功能元件，如溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動電路等，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。
